Продукція > DIODES ZETEX > DMN61D8LVT-13
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13 Diodes Zetex

dmn61d8l-lvt.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LVT-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN61D8LVT-13 за ціною від 9.74 грн до 59.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.61 грн
10+33.17 грн
100+21.36 грн
500+15.29 грн
1000+13.76 грн
2000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
на замовлення 7398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.26 грн
10+36.44 грн
100+16.42 грн
500+13.89 грн
1000+10.74 грн
2500+10.36 грн
5000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : Diodes Zetex dmn61d8l-lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : Diodes Inc pgurl_dmn61d8l-7.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.5A
Gate charge: 740pC
On-state resistance: 2.4Ω
Power dissipation: 1.09W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.