Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN61D8LVT-7
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0005424625_1-2542536.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.88 грн
11+31.56 грн
100+19.13 грн
500+14.94 грн
1000+12.15 грн
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 820mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN61D8LVT-7 за ціною від 12.52 грн до 52.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Power dissipation: 1.09W
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.78 грн
13+33.37 грн
30+26.14 грн
100+19.75 грн
500+14.12 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 820mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.63 грн
10+31.39 грн
100+20.21 грн
500+14.47 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.