Продукція > DIODES INC > DMN61D8LVTQ-13
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13 Diodes Inc

41399441762590dmn61d8lvtq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LVTQ-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN61D8LVTQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D8LVTQ-13
Код товару: 148365
Додати до обраних Обраний товар

DMN61D8LVTQ.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn61d8lvtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN61D8LVTQ.pdf DMN61D8LVTQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002765169_1-2541984.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.