DMN61D8LVTQ-13

Код товара: 148365
Производитель:
Электронные компоненты и комплектующие - Other components 3

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание DMN61D8LVTQ-13

Цена DMN61D8LVTQ-13 от 0 грн до 0 грн

DMN61D8LVTQ-13
DMN61D8LVTQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
FET Feature: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Power - Max: 820mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package: TSOT-26
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
DMN61D8LVTQ-13
DMN61D8LVTQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину