Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.47 грн
6000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN61D8LVTQ-7 за ціною від 10.35 грн до 42.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
12+25.37 грн
100+16.24 грн
500+11.54 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002765169_1-2541984.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ.pdf
DMN61D8LVTQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.62 грн
12+25.37 грн
100+16.24 грн
500+11.54 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7 DIOD_S_A0002765169_1-2541984.pdf
DMN61D8LVTQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.