DMN61D9U-7

DMN61D9U-7 Diodes Zetex


dmn61d9u.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D9U-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN61D9U-7 за ціною від 1.94 грн до 23.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn61d9u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1159+10.05 грн
1171+ 9.95 грн
1183+ 9.84 грн
2363+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 1159
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn61d9u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.09 грн
35+ 16.59 грн
100+ 9 грн
250+ 8.25 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 3.92 грн
3000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D9U.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : DIODES INC. 2864454.pdf Description: DIODES INC. - DMN61D9U-7 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.38A, 60V, SOT2
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D9U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товар відсутній
DMN61D9U-7 DMN61D9U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D9U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товар відсутній