Продукція > DIODES INC > DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13 Diodes Inc


177dmn61d9udw.pdf Виробник: Diodes Inc
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D9UDW-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN61D9UDW-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D9UDW-13 DMN61D9UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-13 DMN61D9UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D9UDW-767459.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.