DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 370mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 440mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 440mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN61D9UDWQ-7 за ціною від 2.62 грн до 21.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 370mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN61D9UDWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 440mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 440mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN61D9UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 370mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 370mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.55 грн |
| 21+ | 14.31 грн |
| 100+ | 6.98 грн |
| 500+ | 5.47 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| DMN61D9UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 440mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 440mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 440mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 440mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN61D9UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 2.62 грн |
| DMN61D9UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.59 грн |
| 9000+ | 4.31 грн |
| DMN61D9UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3062+ | 4.59 грн |
| 9000+ | 4.31 грн |



