DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated


DMN62D0LFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.45 грн
6000+5.63 грн
9000+5.34 грн
15000+4.70 грн
21000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN62D0LFB-7 за ціною від 4.33 грн до 31.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.64 грн
17+18.00 грн
100+11.39 грн
500+7.99 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 31099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.53 грн
17+19.11 грн
100+10.54 грн
500+7.47 грн
1000+5.73 грн
3000+4.54 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.