на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0LFB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN62D0LFB-7 за ціною від 4.23 грн до 36.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN62D0LFB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V |
на замовлення 93155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 31099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
DMN62D0LFB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |