| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0LFD-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN62D0LFD-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0LFD-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1212-3 T&R 10K |
на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN62D0LFD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN62D0LFD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1212-3 T&R 10K
MOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1212-3 T&R 10K
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN62D0LFD-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)