Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0LFD-7
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated

DMN62D0LFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
6000+3.17 грн
9000+2.98 грн
15000+2.59 грн
21000+2.48 грн
30000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN62D0LFD-7 за ціною від 2.80 грн до 24.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0LFD-7 DMN62D0LFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
на замовлення 89237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.55 грн
22+13.96 грн
27+11.41 грн
100+7.94 грн
250+6.58 грн
500+5.75 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7 DMN62D0LFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFD-271619.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 19456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0lfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4336+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4336
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7 Виробник : Diodes Inc dmn62d0lfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.