DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.53 грн |
| 9000+ | 4.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN62D0LFD-7 за ціною від 3.27 грн до 26.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V |
на замовлення 54170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss |
на замовлення 19456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN62D0LFD-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
на замовлення 54170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.41 грн |
| 20+ | 15.56 грн |
| 25+ | 12.86 грн |
| 50+ | 10.49 грн |
| 100+ | 9.13 грн |
| DMN62D0LFD-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 19456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN62D0LFD-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4336+ | 3.27 грн |



