Продукція > DIODES ZETEX > DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7 Diodes Zetex

dmn62d0sfd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0SFD-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN62D0SFD-7 за ціною від 3.63 грн до 28.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.16 грн
6000+5.36 грн
9000+5.07 грн
15000+4.46 грн
21000+4.28 грн
30000+4.10 грн
75000+3.66 грн
150000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
на замовлення 203071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.65 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
DMN62D0SFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.16 грн
6000+5.36 грн
9000+5.07 грн
15000+4.46 грн
21000+4.28 грн
30000+4.10 грн
75000+3.66 грн
150000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
DMN62D0SFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
на замовлення 203071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.65 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
DMN62D0SFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D0SFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D0SFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.