Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated

DMN62D0SFD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.16 грн
6000+5.36 грн
9000+5.07 грн
15000+4.46 грн
21000+4.28 грн
30000+4.10 грн
75000+3.66 грн
150000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції DMN62D0SFD-7 за ціною від 6.62 грн до 28.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
на замовлення 203071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.65 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
DMN62D0SFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
на замовлення 203071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.65 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
DMN62D0SFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.