Продукція > DIODES ZETEX > DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7 Diodes Zetex

dmn62d0sfd.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0SFD-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN62D0SFD-7 за ціною від 3.47 грн до 38.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.81 грн
6000+ 5.35 грн
9000+ 4.63 грн
30000+ 4.26 грн
75000+ 3.53 грн
150000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0SFD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1A; 890mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.89W
Case: X1-DFN1212-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+10.9 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.05 грн
165+ 5.03 грн
445+ 4.77 грн
500+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0SFD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1A; 890mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.89W
Case: X1-DFN1212-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.08 грн
35+ 8.59 грн
100+ 7.25 грн
165+ 6.04 грн
445+ 5.72 грн
500+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0SFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
на замовлення 226512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.12 грн
13+ 21.72 грн
100+ 10.99 грн
500+ 8.41 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011929077_1-2543610.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 4234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.12 грн
13+ 24.21 грн
100+ 8.5 грн
1000+ 6.48 грн
3000+ 4.99 грн
9000+ 4.45 грн
24000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011929077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.69 грн
29+ 26.5 грн
100+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7 Виробник : Diodes Inc dmn62d0sfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній