DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.24 грн |
| 6000+ | 5.44 грн |
| 9000+ | 5.14 грн |
| 15000+ | 4.52 грн |
| 21000+ | 4.34 грн |
| 30000+ | 4.16 грн |
| 75000+ | 3.71 грн |
| 150000+ | 3.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції DMN62D0SFD-7 за ціною від 3.77 грн до 29.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 5091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) |
на замовлення 203071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|