Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0U-13
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13 Diodes Incorporated

DMN62D0U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.97 грн
30000+2.81 грн
50000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0U-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції DMN62D0U-13 за ціною від 3.18 грн до 23.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 Diodes Incorporated DMN62D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
на замовлення 96419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.20 грн
20+15.11 грн
100+7.39 грн
500+5.79 грн
1000+4.02 грн
2000+3.48 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833270_1-2541997.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 105694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 61340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 17738611133496dmn62d0u.pdf
DMN62D0U-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 17738611133496dmn62d0u.pdf
DMN62D0U-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DMN62D0U.pdf
DMN62D0U-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
на замовлення 96419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.20 грн
20+15.11 грн
100+7.39 грн
500+5.79 грн
1000+4.02 грн
2000+3.48 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DIOD_S_A0002833270_1-2541997.pdf
DMN62D0U-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 105694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 17738611133496dmn62d0u.pdf
DMN62D0U-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D0U-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13 DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D0U-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 61340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.