DMN62D0U-7

DMN62D0U-7 Diodes Incorporated


DMN62D0U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 3816000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
6000+2.72 грн
9000+2.14 грн
15000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції DMN62D0U-7 за ціною від 2.34 грн до 28.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 26935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.50 грн
500+7.33 грн
1000+3.68 грн
5000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED925CC86E8CA18&compId=DMN62D0U.pdf?ci_sign=b84092748e037a6441d53ce357a87b3281706301 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.02 грн
70+5.74 грн
100+4.22 грн
381+2.47 грн
1047+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 3816579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.42 грн
42+7.73 грн
100+4.93 грн
500+4.35 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED925CC86E8CA18&compId=DMN62D0U.pdf?ci_sign=b84092748e037a6441d53ce357a87b3281706301 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.42 грн
42+7.15 грн
100+5.06 грн
381+2.97 грн
1047+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833270_1-2541997.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 201462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.71 грн
23+15.75 грн
100+6.43 грн
1000+4.44 грн
3000+3.60 грн
9000+2.91 грн
24000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 26935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.33 грн
44+19.92 грн
100+11.50 грн
500+7.33 грн
1000+3.68 грн
5000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7
Код товару: 191676
Додати до обраних Обраний товар

DMN62D0U.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : Diodes Inc 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Виробник : Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.