DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.55 грн |
| 14+ | 22.01 грн |
| 100+ | 11.11 грн |
| 500+ | 8.50 грн |
| 1000+ | 6.31 грн |
| 2000+ | 5.31 грн |
| 5000+ | 4.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 320mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN62D0UDW-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
на замовлення 5207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN62D0UDW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)