Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0UDWQ-13
DMN62D0UDWQ-13

DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated

DMN62D0UDWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.59 грн
30000+6.27 грн
50000+5.32 грн
100000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UDWQ-13 за ціною від 6.62 грн до 34.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0UDWQ-13 DMN62D0UDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
13+23.51 грн
100+11.88 грн
500+9.88 грн
1000+7.69 грн
2000+6.88 грн
5000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn62d0udwq.pdf MOSFET BVDSS: 41V60V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0udwq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UDWQ.pdf DMN62D0UDWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061903_1-2543376.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.