DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated


DMN62D0UDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.58 грн
30000+6.26 грн
50000+5.32 грн
100000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UDWQ-13 за ціною від 6.61 грн до 34.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D0UDWQ-13 DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+23.47 грн
100+11.86 грн
500+9.86 грн
1000+7.67 грн
2000+6.87 грн
5000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13 DMN62D0UDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
13+23.47 грн
100+11.86 грн
500+9.86 грн
1000+7.67 грн
2000+6.87 грн
5000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.