Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0UDWQ-7
DMN62D0UDWQ-7

DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated

DMN62D0UDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.81 грн
6000+6.28 грн
9000+5.66 грн
30000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 320mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції DMN62D0UDWQ-7 за ціною від 6.68 грн до 24.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D0UDWQ-7 DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
16+18.88 грн
100+11.31 грн
500+9.83 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061903_1-2543376.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7 DMN62D0UDWQ.pdf
DMN62D0UDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
16+18.88 грн
100+11.31 грн
500+9.83 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7 DIOD_S_A0010061903_1-2543376.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.