Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0UT-13
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated

DMN62D0UT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.52 грн
20000+3.09 грн
30000+2.93 грн
50000+2.59 грн
70000+2.50 грн
100000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 230mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN62D0UT-13 за ціною від 3.04 грн до 21.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0UT-13 DMN62D0UT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 154047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.23 грн
26+12.27 грн
100+7.67 грн
500+5.32 грн
1000+4.71 грн
2000+4.19 грн
5000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13 Виробник : Diodes Zetex DMN62D0UT.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13 DMN62D0UT-13 Виробник : Diodes Inc dmn62d0ut.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13 DMN62D0UT-13 Виробник : Diodes Incorporated Diodes-03-05-2018-DMN62D0UT_R3.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.