DMN62D0UW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.60 грн |
| 6000+ | 3.22 грн |
| 9000+ | 2.67 грн |
| 30000+ | 2.46 грн |
| 75000+ | 2.21 грн |
| 150000+ | 1.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0UW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta).
Інші пропозиції DMN62D0UW-7 за ціною від 2.32 грн до 22.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 437412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
на замовлення 42863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN62D0UW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 437412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.36 грн |
| 22+ | 14.17 грн |
| 100+ | 6.91 грн |
| 500+ | 5.41 грн |
| 1000+ | 3.76 грн |
| DMN62D0UW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 42863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.15 грн |
| 22+ | 15.12 грн |
| 100+ | 5.34 грн |
| 1000+ | 3.73 грн |
| 3000+ | 2.88 грн |
| 9000+ | 2.46 грн |
| 24000+ | 2.32 грн |