DMN62D0UWQ-13

DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated


DMN62D0UWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.64 грн
30000+4.38 грн
50000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UWQ-13 за ціною від 4.03 грн до 34.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 226920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.00 грн
16+20.98 грн
100+10.61 грн
500+8.12 грн
1000+6.03 грн
2000+5.07 грн
5000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363660_1-2543053.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.43 грн
15+24.85 грн
100+10.07 грн
1000+6.27 грн
2500+5.42 грн
10000+4.57 грн
20000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.