Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D0UWQ-7
DMN62D0UWQ-7

DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated

DMN62D0UWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.81 грн
6000+4.43 грн
9000+3.83 грн
30000+3.53 грн
75000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UWQ-7 за ціною від 3.31 грн до 28.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.41 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.33 грн
70+11.88 грн
135+6.14 грн
500+5.41 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
18+18.01 грн
100+9.10 грн
500+6.96 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363660_1-2543053.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
17+20.05 грн
100+7.21 грн
1000+5.37 грн
3000+4.49 грн
9000+3.46 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf DMN62D0UWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.