DMN62D0UWQ-7

DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated


DMN62D0UWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
6000+4.37 грн
9000+3.78 грн
30000+3.48 грн
75000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN62D0UWQ-7 за ціною від 3.14 грн до 27.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.29 грн
500+7.34 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+24.85 грн
55+15.07 грн
100+9.29 грн
500+7.34 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 115433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.92 грн
18+17.78 грн
100+8.98 грн
500+6.87 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363660_1-2543053.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.29 грн
17+19.03 грн
100+6.84 грн
1000+5.10 грн
3000+4.26 грн
9000+3.28 грн
24000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.