Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DMN62D1LFB-7B транзистор

DMN62D1LFB-7B транзистор

Код товару: 221985
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMN62D1LFB-7B транзистор за ціною від 3.86 грн до 26.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.41 грн
20000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.62 грн
20000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.76 грн
20000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
50000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.05 грн
20000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1426+9.92 грн
1440+9.83 грн
1528+9.26 грн
2385+5.72 грн
3000+5.17 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 1426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.44 грн
42+18.09 грн
100+9.57 грн
250+8.77 грн
500+7.94 грн
1000+5.08 грн
3000+4.96 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 27457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
20+15.60 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.08 грн
2000+5.43 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038948_1-2542523.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 36166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.41 грн
20000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.62 грн
20000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.76 грн
20000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
50000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.01 грн
20000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.05 грн
20000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1426+9.92 грн
1440+9.83 грн
1528+9.26 грн
2385+5.72 грн
3000+5.17 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 1426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.44 грн
42+18.09 грн
100+9.57 грн
250+8.77 грн
500+7.94 грн
1000+5.08 грн
3000+4.96 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 27457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
20+15.60 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.08 грн
2000+5.43 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DIOD_S_A0005038948_1-2542523.pdf
DMN62D1LFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 36166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D1LFB-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFB-7B DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D1LFB-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.