Технічний опис DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 407mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN62D1LFB-7B за ціною від 3.83 грн до 26.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 8179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 8179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
на замовлення 27457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 36166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 407mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMN62D1LFB-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 407mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.59 грн |
| 20000+ | 4.28 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.72 грн |
| 20000+ | 4.16 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.97 грн |
| 20000+ | 4.64 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.97 грн |
| 20000+ | 4.64 грн |
| 50000+ | 4.08 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.02 грн |
| 20000+ | 4.68 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.20 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.33 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.33 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1426+ | 9.85 грн |
| 1440+ | 9.76 грн |
| 1528+ | 9.20 грн |
| 2385+ | 5.68 грн |
| 3000+ | 5.13 грн |
| 6000+ | 3.83 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.28 грн |
| 42+ | 17.97 грн |
| 100+ | 9.50 грн |
| 250+ | 8.71 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 5.05 грн |
| 3000+ | 4.93 грн |
| 6000+ | 3.83 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 27457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.49 грн |
| 100+ | 9.75 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 6.04 грн |
| 2000+ | 5.39 грн |
| 5000+ | 4.62 грн |
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 36166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN62D1LFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





