Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D1LFD-13
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13 Diodes Incorporated

DMN62D1LFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D1LFD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN62D1LFD-13 за ціною від 4.73 грн до 30.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D1LFD-13 DMN62D1LFD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D1LFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4219911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.89 грн
15+20.82 грн
100+10.51 грн
500+8.05 грн
1000+5.97 грн
2000+5.03 грн
5000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D1LFD.pdf DMN62D1LFD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13 DMN62D1LFD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865515_1-2543348.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.