DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1062000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.64 грн |
| 6000+ | 3.44 грн |
| 9000+ | 3.37 грн |
| 15000+ | 3.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN62D1LFD-7 за ціною від 2.22 грн до 15.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D1LFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
на замовлення 1066085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN62D1LFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF |
на замовлення 282810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 711000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D1LFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |