DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated


DMN62D1LFDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.70 грн
6000+5.85 грн
9000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D1LFDQ-7 за ціною від 7.38 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
16+18.66 грн
100+11.79 грн
500+8.28 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ.pdf MOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 17873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
16+18.66 грн
100+11.79 грн
500+8.28 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 17873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.