Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D1LFDQ-7
DMN62D1LFDQ-7

DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated

DMN62D1LFDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.15 грн
6000+6.73 грн
9000+5.96 грн
30000+5.52 грн
75000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN62D1LFDQ-7 за ціною від 4.93 грн до 32.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Виробник : DIODES INC. DMN62D1LFDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.34 грн
500+9.00 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ-1594574.pdf MOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 79452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.99 грн
20+17.27 грн
100+7.84 грн
1000+7.11 грн
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Виробник : DIODES INC. DMN62D1LFDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.10 грн
41+20.03 грн
100+10.34 грн
500+9.00 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.18 грн
14+22.15 грн
100+11.16 грн
500+9.28 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D1LFDQ.pdf DMN62D1LFDQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.