DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated


DMN62D1SFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18790000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.51 грн
20000+4.87 грн
30000+4.65 грн
50000+4.14 грн
70000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN62D1SFB-7B за ціною від 4.50 грн до 32.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.17 грн
23+14.07 грн
100+8.02 грн
500+6.33 грн
1000+5.70 грн
10000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 18812537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.44 грн
16+19.05 грн
100+12.08 грн
500+8.48 грн
1000+7.56 грн
2000+6.79 грн
5000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.17 грн
23+14.07 грн
100+8.02 грн
500+6.33 грн
1000+5.70 грн
10000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 18812537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.44 грн
16+19.05 грн
100+12.08 грн
500+8.48 грн
1000+7.56 грн
2000+6.79 грн
5000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.