Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN62D1SFB-7B за ціною від 4.61 грн до 35.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V |
на замовлення 6363637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 55949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.20 грн |
| 20000+ | 4.87 грн |
| 50000+ | 4.61 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.20 грн |
| 20000+ | 4.87 грн |
| 50000+ | 4.61 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.18 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.61 грн |
| 30000+ | 5.59 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.69 грн |
| 20000+ | 6.27 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.76 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 673+ | 20.98 грн |
| 1200+ | 11.76 грн |
| 1213+ | 11.64 грн |
| 1225+ | 11.11 грн |
| 2246+ | 5.61 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.36 грн |
| 36+ | 20.98 грн |
| 100+ | 11.34 грн |
| 250+ | 10.39 грн |
| 500+ | 9.88 грн |
| 1000+ | 5.39 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 6363637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 15+ | 21.10 грн |
| 25+ | 17.52 грн |
| 50+ | 14.34 грн |
| 100+ | 12.55 грн |
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN62D1SFB-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)