на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN62D1SFB-7B за ціною від 4.14 грн до 35.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V |
на замовлення 18790000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 55949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V |
на замовлення 18812537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN62D1SFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |