Продукція > DIODES ZETEX > DMN62D1SFB-7B
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex

dmn62d1sfb.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN62D1SFB-7B за ціною від 4.65 грн до 37.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.25 грн
20000+4.92 грн
50000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.25 грн
20000+4.92 грн
50000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.75 грн
20000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.86 грн
30000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.17 грн
1200+11.86 грн
1213+11.74 грн
1225+11.21 грн
2246+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.01 грн
21+14.63 грн
100+8.34 грн
500+6.58 грн
1000+5.92 грн
10000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex dmn62d1sfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.62 грн
36+21.17 грн
100+11.44 грн
250+10.48 грн
500+9.97 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 62206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
14+21.99 грн
25+18.21 грн
50+14.89 грн
100+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B DIODES INC. DMN62D1SFB.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB-7B DIODES INC. DMN62D1SFB.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.25 грн
20000+4.92 грн
50000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.25 грн
20000+4.92 грн
50000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.75 грн
20000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.86 грн
30000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
673+21.17 грн
1200+11.86 грн
1213+11.74 грн
1225+11.21 грн
2246+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.01 грн
21+14.63 грн
100+8.34 грн
500+6.58 грн
1000+5.92 грн
10000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B dmn62d1sfb.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.62 грн
36+21.17 грн
100+11.44 грн
250+10.48 грн
500+9.97 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 62206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+21.99 грн
25+18.21 грн
50+14.89 грн
100+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7B DMN62D1SFB.pdf
DMN62D1SFB-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.