Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN62D2UDMQ-7
DMN62D2UDMQ-7

DMN62D2UDMQ-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.56 грн
6000+6.57 грн
9000+6.20 грн
15000+5.44 грн
21000+5.22 грн
30000+5.00 грн
75000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D2UDMQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D2UDMQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN62D2UDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.