DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 310mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN63D1LDW-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D1LDW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN63D1LDW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS
MOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.