Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D1LDW-7
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated

DMN63D1LDW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.00 грн
6000+5.53 грн
9000+4.78 грн
30000+4.40 грн
75000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 310mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN63D1LDW-7 за ціною від 6.45 грн до 33.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D1LDW-7 DMN63D1LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D1LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.26 грн
14+22.50 грн
100+11.36 грн
500+8.69 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7 DMN63D1LDW-7 Виробник : Diodes Inc 1064dmn63d1ldw.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D1LDW.pdf DMN63D1LDW-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7 DMN63D1LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D1LDW-776496.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.