DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated


DMN63D1LT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.47 грн
20000+8.44 грн
30000+8.10 грн
50000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN63D1LT-13 за ціною від 7.31 грн до 47.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D1LT-13 DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145016_1-2542661.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
14+23.29 грн
100+10.41 грн
1000+8.65 грн
2500+7.95 грн
10000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13 DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated DMN63D1LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 64090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+28.49 грн
100+18.28 грн
500+13.01 грн
1000+11.67 грн
2000+10.54 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13 DIOD_S_A0004145016_1-2542661.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.44 грн
14+23.29 грн
100+10.41 грн
1000+8.65 грн
2500+7.95 грн
10000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13 DMN63D1LT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 64090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.47 грн
11+28.49 грн
100+18.28 грн
500+13.01 грн
1000+11.67 грн
2000+10.54 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.