DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
на замовлення 19547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 23.55 грн |
| 19+ | 18.93 грн |
| 100+ | 8.77 грн |
| 500+ | 5.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 310mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 1.2A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.31A, Gate charge: 0.9nC, On-state resistance: 13Ω, Power dissipation: 0.52W, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
Інші пропозиції DMN63D8L-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D8L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 |
товару немає в наявності |
|
 |
DMN63D8L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 310mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.31A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.52W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |