DMN63D8L-7 Diodes Zetex


1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN63D8L-7 за ціною від 1.92 грн до 19.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Zetex 1066dmn63d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
9000+2.71 грн
24000+2.48 грн
45000+2.28 грн
99000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Zetex 1066dmn63d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.26 грн
9000+2.71 грн
24000+2.48 грн
45000+2.28 грн
99000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Zetex 1066dmn63d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+5.84 грн
2424+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.34 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Zetex 1066dmn63d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.53 грн
55+13.66 грн
56+13.51 грн
127+5.69 грн
250+5.22 грн
500+4.97 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 92137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Zetex 1066dmn63d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.26 грн
9000+2.71 грн
24000+2.48 грн
45000+2.28 грн
99000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4311+3.26 грн
9000+2.71 грн
24000+2.48 грн
45000+2.28 грн
99000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2404+5.84 грн
2424+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.34 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.53 грн
55+13.66 грн
56+13.51 грн
127+5.69 грн
250+5.22 грн
500+4.97 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 92137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 1066dmn63d8l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.