на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN63D8L-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN63D8L-7 за ціною від 1.60 грн до 20.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN63D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V |
на замовлення 209519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW |
на замовлення 92137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN63D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |