Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated

DMN63D8LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.83 грн
6000+3.30 грн
9000+3.11 грн
15000+2.72 грн
21000+2.59 грн
30000+2.48 грн
75000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN63D8LDW-7 за ціною від 2.16 грн до 18.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.60 грн
34+9.72 грн
100+5.38 грн
500+4.33 грн
1000+3.91 грн
3000+2.44 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.84 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.60 грн
34+9.72 грн
100+5.38 грн
500+4.33 грн
1000+3.91 грн
3000+2.44 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.84 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.