Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5618+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 5618
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN63D8LDW-7 за ціною від 1.83 грн до 21.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Inc dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.82 грн
6000+2.50 грн
9000+2.41 грн
15000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3927+3.17 грн
6000+2.81 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3927
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.26 грн
6000+2.83 грн
9000+2.75 грн
15000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+2.91 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3261+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.04 грн
6000+3.49 грн
9000+3.29 грн
15000+2.87 грн
21000+2.74 грн
30000+2.62 грн
75000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1946+4.09 грн
3000+2.69 грн
6000+2.35 грн
9000+2.23 грн
15000+2.05 грн
21000+1.92 грн
30000+1.85 грн
75000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 1946
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.51 грн
1500+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.49 грн
41+9.91 грн
59+6.79 грн
100+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.59 грн
25+12.35 грн
50+8.15 грн
100+6.92 грн
500+4.81 грн
1000+4.18 грн
1500+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.34 грн
34+10.68 грн
100+5.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.30 грн
3000+2.69 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.92 грн
28+11.67 грн
100+7.23 грн
500+4.98 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+21.43 грн
72+12.05 грн
107+8.07 грн
500+5.51 грн
1500+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.