Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN63D8LDW-7 за ціною від 1.56 грн до 19.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5618+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 5618
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Inc dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
6000+2.41 грн
9000+2.34 грн
15000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.77 грн
6000+2.45 грн
9000+2.37 грн
15000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
6000+2.48 грн
9000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3927+3.11 грн
6000+2.76 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3927
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1946+3.47 грн
3000+2.29 грн
6000+1.99 грн
9000+1.89 грн
15000+1.74 грн
21000+1.63 грн
30000+1.57 грн
75000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 1946
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3261+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.88 грн
6000+3.35 грн
9000+3.15 грн
15000+2.75 грн
21000+2.63 грн
30000+2.51 грн
75000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.56 грн
104+7.96 грн
155+5.35 грн
500+3.68 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.55 грн
49+7.89 грн
71+5.41 грн
100+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DMN63D8LDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.20 грн
85+9.74 грн
132+6.26 грн
500+3.80 грн
1500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.86 грн
30+9.84 грн
50+6.49 грн
100+5.51 грн
283+3.83 грн
778+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
28+11.19 грн
100+6.93 грн
500+4.77 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
32+10.91 грн
100+6.03 грн
500+4.86 грн
1000+4.34 грн
3000+2.72 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.