Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D8LDWQ-7
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated

DMN63D8LDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.70 грн
6000+4.19 грн
9000+3.48 грн
30000+3.21 грн
75000+2.88 грн
150000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 300mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції DMN63D8LDWQ-7 за ціною від 4.90 грн до 27.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
17+18.43 грн
100+9.01 грн
500+7.05 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 47727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
17+18.43 грн
100+9.01 грн
500+7.05 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-3103090.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 47727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.