Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LDWQ-7
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4602+2.84 грн
9000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4602
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN63D8LDWQ-7 за ціною від 2.74 грн до 31.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.11 грн
9000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 933000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4077+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 4077
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.29 грн
6000+4.73 грн
9000+3.92 грн
30000+3.61 грн
75000+3.25 грн
150000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.93 грн
1000+5.11 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 47727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.43 грн
25+15.22 грн
100+6.22 грн
500+5.33 грн
1000+5.00 грн
3000+2.91 грн
6000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.90 грн
58+15.67 грн
124+7.33 грн
500+5.93 грн
1000+5.11 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.43 грн
17+20.77 грн
100+10.15 грн
500+7.94 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDWQ.pdf DMN63D8LDWQ-7 Multi channel transistors
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.70 грн
282+4.25 грн
774+4.02 грн
3000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.