Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LDWQ-7
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4077+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 4077
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN63D8LDWQ-7 за ціною від 2.56 грн до 28.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DMN63D8LDWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.14 грн
1000+2.90 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.82 грн
6000+4.31 грн
9000+3.57 грн
30000+3.29 грн
75000+2.96 грн
150000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 2.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.03 грн
41+9.35 грн
51+7.57 грн
100+5.40 грн
270+3.38 грн
743+3.20 грн
3000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DMN63D8LDWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.76 грн
77+10.81 грн
150+5.53 грн
500+4.14 грн
1000+2.90 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 49152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
31+11.00 грн
100+4.93 грн
1000+4.41 грн
3000+3.02 грн
9000+2.80 грн
24000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 2.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.84 грн
25+11.65 грн
31+9.09 грн
100+6.48 грн
270+4.06 грн
743+3.83 грн
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
17+18.93 грн
100+9.25 грн
500+7.24 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.