Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D8LV-7
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated

DMN63D8LV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.44 грн
6000+3.85 грн
9000+3.63 грн
15000+3.17 грн
21000+3.04 грн
30000+2.90 грн
75000+2.57 грн
150000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 450mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції DMN63D8LV-7 за ціною від 4.81 грн до 21.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
31+13.60 грн
50+9.32 грн
100+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.61 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.54 грн
31+13.60 грн
50+9.32 грн
100+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.61 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.