Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LV-7
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7 Diodes Zetex

dmn63d8lv.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4077+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN63D8LV-7 за ціною від 2.41 грн до 21.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+3.85 грн
9000+3.63 грн
15000+3.17 грн
21000+3.04 грн
30000+2.90 грн
75000+2.57 грн
150000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
31+13.60 грн
50+9.32 грн
100+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.61 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INC. DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INC. DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 dmn63d8lv.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 dmn63d8lv.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3433+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.44 грн
6000+3.85 грн
9000+3.63 грн
15000+3.17 грн
21000+3.04 грн
30000+2.90 грн
75000+2.57 грн
150000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 dmn63d8lv.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.54 грн
31+13.60 грн
50+9.32 грн
100+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.61 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7 dmn63d8lv.pdf
DMN63D8LV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.