на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN63D8LW-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN63D8LW-13 за ціною від 1.46 грн до 19.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 14983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 143628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN63D8LW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A |
на замовлення 56452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 14983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN63D8LW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
DMN63D8LW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| DMN63D8LW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN63D8LW-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |