Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D8LW-13
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated

DMN63D8LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.89 грн
20000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції DMN63D8LW-13 за ціною від 1.70 грн до 20.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
80000+2.01 грн
160000+1.87 грн
240000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.47 грн
20000+2.20 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2522+5.62 грн
2547+5.57 грн
4412+3.21 грн
4505+3.03 грн
7076+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 143628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
44+6.81 грн
100+3.49 грн
500+3.20 грн
1000+2.86 грн
2000+2.58 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.87 грн
56+13.74 грн
59+12.91 грн
130+5.61 грн
250+5.02 грн
500+4.77 грн
1000+2.75 грн
3000+2.70 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
на замовлення 56452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 1067dmn63d8lw.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 1067dmn63d8lw.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.20 грн
80000+2.01 грн
160000+1.87 грн
240000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 1067dmn63d8lw.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.47 грн
20000+2.20 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 1067dmn63d8lw.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2522+5.62 грн
2547+5.57 грн
4412+3.21 грн
4505+3.03 грн
7076+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 143628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.10 грн
44+6.81 грн
100+3.49 грн
500+3.20 грн
1000+2.86 грн
2000+2.58 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 1067dmn63d8lw.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.87 грн
56+13.74 грн
59+12.91 грн
130+5.61 грн
250+5.02 грн
500+4.77 грн
1000+2.75 грн
3000+2.70 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW.pdf
DMN63D8LW-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
на замовлення 56452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13 DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.