на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7895+ | 1.61 грн |
| 9000+ | 1.52 грн |
| 15000+ | 1.43 грн |
| 21000+ | 1.36 грн |
| 30000+ | 1.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN65D8L-7 за ціною від 1.13 грн до 12.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 230235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 228328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA |
на замовлення 62374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 151258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN65D8L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |