| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7895+ | 1.79 грн |
| 9000+ | 1.70 грн |
| 15000+ | 1.59 грн |
| 21000+ | 1.52 грн |
| 30000+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 370mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції DMN65D8L-7 за ціною від 1.27 грн до 8.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.54W On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 6382 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA |
на замовлення 62374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 8647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 230235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.18 грн |
| 6000+ | 1.79 грн |
| 9000+ | 1.70 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
| 21000+ | 1.41 грн |
| 30000+ | 1.33 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.18 грн |
| 6000+ | 1.79 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6494+ | 2.18 грн |
| 7895+ | 1.79 грн |
| 9000+ | 1.70 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
| 21000+ | 1.41 грн |
| 30000+ | 1.33 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6383+ | 2.22 грн |
| 7732+ | 1.83 грн |
| 9000+ | 1.73 грн |
| 15000+ | 1.56 грн |
| 21000+ | 1.43 грн |
| 30000+ | 1.37 грн |
| 75000+ | 1.35 грн |
| 150000+ | 1.28 грн |
| 300000+ | 1.27 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.23 грн |
| 6000+ | 1.85 грн |
| 9000+ | 1.74 грн |
| 15000+ | 1.58 грн |
| 21000+ | 1.44 грн |
| 30000+ | 1.37 грн |
| 150000+ | 1.29 грн |
| 300000+ | 1.28 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 6382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 8.93 грн |
| 72+ | 5.80 грн |
| 106+ | 3.93 грн |
| 125+ | 3.32 грн |
| 500+ | 2.30 грн |
| 1000+ | 1.97 грн |
| 1500+ | 1.81 грн |
| 3000+ | 1.61 грн |
| DMN65D8L-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
на замовлення 62374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 230235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






