DMN65D8L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 5466000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.57 грн |
| 6000+ | 1.30 грн |
| 9000+ | 1.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN65D8L-7 за ціною від 0.96 грн до 13.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 198224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 5466412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA |
на замовлення 172991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 199228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN65D8L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN65D8L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN65D8L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |