Продукція > DIODES INC > DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7 Diodes Inc

dmn65d8ldw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LDW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LDW-7 за ціною від 2.34 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4336+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4336
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2469+3.07 грн
3000+2.70 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 2469
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.65 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.50 грн
67+13.03 грн
100+9.04 грн
500+6.65 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.62 грн
25+13.39 грн
100+8.37 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf MOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.85 грн
21+17.01 грн
100+9.29 грн
500+5.81 грн
1000+4.49 грн
3000+4.03 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.