DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7 Diodes Inc


dmn65d8ldw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LDW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LDW-7 за ціною від 2.31 грн до 26.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.79 грн
6000+2.40 грн
9000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.86 грн
6000+2.92 грн
9000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.86 грн
6000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.93 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.13 грн
6000+4.45 грн
9000+4.20 грн
15000+3.68 грн
21000+3.53 грн
30000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.13 грн
6000+2.57 грн
9000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
6000+3.13 грн
9000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.33 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2469+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 2469
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2469+5.98 грн
3000+4.52 грн
6000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 2469
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.96 грн
1000+5.66 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf MOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
на замовлення 10388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.32 грн
26+13.86 грн
100+8.11 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
3000+4.24 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 47725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.60 грн
22+14.45 грн
100+9.03 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.02 грн
57+15.05 грн
100+10.12 грн
500+6.96 грн
1000+5.66 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.