DMN65D8LDWQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3547+ | 3.50 грн |
| 6000+ | 3.47 грн |
| 9000+ | 3.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LDWQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN65D8LDWQ-7 за ціною від 3.70 грн до 32.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd |
на замовлення 12449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN65D8LDWQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 870pC Pulsed drain current: 0.8A Application: automotive industry |
товару немає в наявності |