Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LFB-7
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated

DMN65D8LFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
9000+2.92 грн
15000+2.55 грн
21000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN65D8LFB-7 за ціною від 2.39 грн до 18.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
29+10.59 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 26471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.38 грн
29+11.16 грн
100+6.12 грн
500+4.50 грн
1000+4.01 грн
3000+2.53 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB.pdf
DMN65D8LFB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.41 грн
29+10.59 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB.pdf
DMN65D8LFB-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 26471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.38 грн
29+11.16 грн
100+6.12 грн
500+4.50 грн
1000+4.01 грн
3000+2.53 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.