на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6788+ | 1.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LFB-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN65D8LFB-7 за ціною від 1.92 грн до 19.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 333000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
на замовлення 185218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd |
на замовлення 26006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN65D8LFB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.84W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 870pC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN65D8LFB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.84W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 870pC |
товару немає в наявності |