DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.05 грн |
| 30+ | 10.15 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 500+ | 4.36 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| 2000+ | 3.42 грн |
| 5000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN65D8LFB-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 22053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN65D8LFB-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)