DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.25 грн |
| 20000+ | 2.08 грн |
| 30000+ | 1.96 грн |
| 50000+ | 1.72 грн |
| 70000+ | 1.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN65D8LFB-7B за ціною від 2.33 грн до 23.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 11748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
на замовлення 455913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 23127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 11748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| DMN65D8LFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN65D8LFB-7B SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
DMN65D8LFB-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |