Продукція > DIODES INC. > DMN65D8LFB-7B
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B DIODES INC.

DIOD-S-A0013290039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.51 грн
1000+2.90 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LFB-7B DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LFB-7B за ціною від 2.14 грн до 17.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.02 грн
49+6.51 грн
100+3.31 грн
500+2.83 грн
1000+2.55 грн
5000+2.42 грн
10000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013290039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+10.31 грн
108+7.48 грн
183+4.41 грн
500+3.51 грн
1000+2.90 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 12911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.09 грн
30+10.17 грн
100+6.34 грн
500+4.37 грн
1000+3.86 грн
2000+3.43 грн
5000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Inc dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.