Продукція > DIODES INC > DMN65D8LQ-13
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13 Diodes Inc

1068dmn65d8lq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LQ-13 за ціною від 1.36 грн до 16.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.89 грн
1000+2.14 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+9.61 грн
125+6.84 грн
241+3.54 грн
500+2.89 грн
1000+2.14 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 53637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.90 грн
50+6.97 грн
100+3.11 грн
500+3.03 грн
1000+2.43 грн
5000+2.27 грн
10000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.40 грн
30+10.82 грн
100+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.