DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated


DMN65D8LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.12 грн
20000+1.85 грн
30000+1.75 грн
50000+1.53 грн
70000+1.47 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN65D8LQ-13 за ціною від 1.68 грн до 14.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 239227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.35 грн
39+7.87 грн
100+4.83 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
2000+2.57 грн
5000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 33452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.01 грн
39+8.27 грн
100+4.47 грн
500+3.21 грн
1000+2.51 грн
5000+2.16 грн
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.