DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.12 грн |
| 20000+ | 1.85 грн |
| 30000+ | 1.75 грн |
| 50000+ | 1.53 грн |
| 70000+ | 1.47 грн |
| 100000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN65D8LQ-13 за ціною від 1.68 грн до 14.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN65D8LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 239227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN65D8LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 33452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
