Продукція > DIODES INC > DMN65D8LQ-13
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13 Diodes Inc

1068dmn65d8lq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LQ-13 за ціною від 1.93 грн до 18.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.41 грн
1000+ 2.12 грн
5000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.93 грн
30+ 9.85 грн
100+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.51 грн
29+ 10.95 грн
100+ 3.93 грн
1000+ 2.35 грн
2500+ 2.21 грн
10000+ 2 грн
20000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+18.19 грн
64+ 12.15 грн
160+ 4.85 грн
500+ 3.41 грн
1000+ 2.12 грн
5000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 43
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній