Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

DMN65D8LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.55 грн
6000+2.20 грн
9000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN65D8LQ-7 за ціною від 2.23 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.08 грн
6000+2.72 грн
9000+2.54 грн
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.74 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.80 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 62852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 1068dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4588+3.08 грн
6000+2.72 грн
9000+2.54 грн
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 1068dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.11 грн
6000+2.74 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 1068dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 1068dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4011+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.80 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 62852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D8LQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D8LQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.