Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

DMN65D8LQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.95 грн
6000+1.77 грн
9000+1.66 грн
15000+1.51 грн
30000+1.40 грн
75000+1.36 грн
150000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN65D8LQ-7 за ціною від 1.54 грн до 19.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.59 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
49+6.28 грн
100+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 101292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.64 грн
49+7.02 грн
100+3.16 грн
1000+2.80 грн
3000+1.84 грн
9000+1.77 грн
24000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.39 грн
64+13.04 грн
160+5.17 грн
500+3.59 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Inc 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf DMN65D8LQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.