Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

DMN65D8LQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.01 грн
6000+1.82 грн
9000+1.71 грн
15000+1.56 грн
21000+1.55 грн
30000+1.44 грн
75000+1.40 грн
150000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN65D8LQ-7 за ціною від 1.59 грн до 10.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.87 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3650+3.33 грн
6000+3.08 грн
9000+3.03 грн
12000+2.90 грн
15000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3650
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.84 грн
49+6.47 грн
100+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 88839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.90 грн
52+6.80 грн
100+3.03 грн
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+10.46 грн
119+7.18 грн
229+3.72 грн
500+2.87 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.77 грн
6000+10.67 грн
9000+10.56 грн
12000+10.07 грн
15000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Inc 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1068dmn65d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.