Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LT-13
DMN65D8LT-13

DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated

DMN65D8LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.56 грн
20000+1.46 грн
30000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN65D8LT-13 за ціною від 1.55 грн до 17.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LT-13 DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 278651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.16 грн
45+6.95 грн
100+3.63 грн
500+3.24 грн
1000+2.69 грн
2000+2.46 грн
5000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13 DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955996_1-2544003.pdf MOSFET MOSFET BVDSS:41V-60V
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.04 грн
31+11.20 грн
100+6.22 грн
1000+2.77 грн
2500+2.47 грн
10000+1.80 грн
20000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Zetex DMN65D8LT.pdf DMN65D8LT-13
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.