DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.24 грн |
| 20000+ | 1.94 грн |
| 30000+ | 1.84 грн |
| 50000+ | 1.61 грн |
| 70000+ | 1.54 грн |
| 100000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN65D8LT-13 за ціною від 1.34 грн до 13.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN65D8LT-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V |
на замовлення 9323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN65D8LT-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V |
на замовлення 123520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN65D8LT-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.98 грн |
| 46+ | 7.12 грн |
| 100+ | 3.23 грн |
| 500+ | 3.16 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| 5000+ | 1.97 грн |
| 10000+ | 1.34 грн |
| DMN65D8LT-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 123520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.45 грн |
| 39+ | 8.00 грн |
| 100+ | 4.96 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 2.98 грн |
| 2000+ | 2.63 грн |
| 5000+ | 2.22 грн |



