DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated


DMN65D8LW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.37 грн
6000+8.23 грн
9000+7.83 грн
15000+6.93 грн
21000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D8LW-7 за ціною від 7.11 грн до 42.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn65d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.18 грн
500+12.16 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.21 грн
16+21.17 грн
100+10.32 грн
500+10.04 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.06 грн
35+23.43 грн
100+13.18 грн
500+12.16 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 27029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.36 грн
13+25.15 грн
100+16.09 грн
500+11.42 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.