DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.30 грн |
| 6000+ | 8.17 грн |
| 9000+ | 7.78 грн |
| 15000+ | 6.88 грн |
| 21000+ | 6.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN65D8LW-7 за ціною від 7.06 грн до 42.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 27029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|