
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D8LW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN65D8LW-7 за ціною від 7.17 грн до 36.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 4607395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 6019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 4610087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |