Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LW-7
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated

DMN65D8LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.45 грн
6000+8.30 грн
9000+7.90 грн
15000+6.99 грн
21000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції DMN65D8LW-7 за ціною від 7.17 грн до 42.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.49 грн
16+21.35 грн
100+10.41 грн
500+10.13 грн
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN65D8LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.82 грн
17+25.56 грн
19+22.69 грн
100+13.97 грн
500+10.33 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 27029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.72 грн
13+25.37 грн
100+16.23 грн
500+11.52 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.