DMN65D9L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.96 грн |
| 6000+ | 2.55 грн |
| 9000+ | 2.40 грн |
| 15000+ | 2.08 грн |
| 21000+ | 1.99 грн |
| 30000+ | 1.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN65D9L-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN65D9L-7 за ціною від 1.54 грн до 14.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D9L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 15063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN65D9L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V |
на замовлення 132569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|