Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D9L-7
DMN65D9L-7

DMN65D9L-7 Diodes Incorporated

DMN65D9L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.89 грн
6000+2.49 грн
9000+2.33 грн
15000+2.03 грн
21000+1.94 грн
30000+1.84 грн
75000+1.62 грн
150000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D9L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 335mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN65D9L-7 за ціною від 1.70 грн до 16.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.24 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D9L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 188499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.08 грн
38+8.71 грн
100+5.41 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D9L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 15063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.54 грн
38+9.62 грн
100+5.19 грн
500+3.80 грн
1000+3.33 грн
3000+1.78 грн
6000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.59 грн
87+10.08 грн
138+6.31 грн
500+4.24 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 Виробник : Diodes Zetex DMN65D9L.pdf DMN65D9L-7
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6881+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 6881
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 Виробник : Diodes Inc dmn65d9l.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 Виробник : Diodes Zetex DMN65D9L.pdf DMN65D9L-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.