Інші пропозиції DMN66D0LDW-7 за ціною від 11.01 грн до 64.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN66D0LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN66D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN66D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 250mW 60Vdss |
на замовлення 5669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN66D0LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN66D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN66D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN66D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
товару немає в наявності |