Продукція > DIODES INC. > DMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0013511425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.55 грн
500+20.69 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN66D0LDW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 3.5 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN66D0LDW-7 за ціною від 14.20 грн до 61.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013511425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
21+40.93 грн
100+28.55 грн
500+20.69 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN66D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.14 грн
10+41.15 грн
100+30.73 грн
500+22.66 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN66D0LDW.pdf MOSFETs 250mW 60Vdss
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+40.19 грн
100+23.91 грн
500+18.83 грн
1000+17.07 грн
3000+14.57 грн
6000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7
Код товару: 209227
Додати до обраних Обраний товар

DMN66D0LDW.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn66d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn66d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Inc 625ds31232.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN66D0LDW.pdf DMN66D0LDW-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN66D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.