Продукція > DIODES INC. > DMN66D0LW-7
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7 DIODES INC.

DIODS20489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.82 грн
500+17.09 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN66D0LW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN66D0LW-7 за ціною від 12.08 грн до 59.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN66D0LW-7 DMN66D0LW-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31483.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.43 грн
100+21.20 грн
500+15.63 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7 DMN66D0LW-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31483.pdf MOSFET NMOS-SINGLE
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
11+31.39 грн
100+20.38 грн
500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7 DMN66D0LW-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.50 грн
21+40.19 грн
100+26.82 грн
500+17.09 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7 DMN66D0LW-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31483.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.