DMN67D7L-7

DMN67D7L-7 Diodes Zetex


116dmn67d7l.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6123+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6123
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN67D7L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN67D7L-7 за ціною від 2.13 грн до 20.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN67D7L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.26 грн
6000+2.91 грн
9000+2.41 грн
30000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : DIODES INC. DMN67D7L.pdf Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.67 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : DIODES INC. DMN67D7L.pdf Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.85 грн
75+11.06 грн
133+6.24 грн
500+3.67 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN67D7L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
24+12.80 грн
100+6.25 грн
500+4.89 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145078_1-2542328.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 34570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.77 грн
25+14.04 грн
100+5.00 грн
1000+3.46 грн
3000+2.72 грн
9000+2.28 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 Виробник : Diodes Inc 116dmn67d7l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN67D7L.pdf DMN67D7L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.