Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN67D8L-13
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13 Diodes Incorporated

DMN67D8L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.09 грн
30000+1.86 грн
50000+1.61 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN67D8L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN67D8L-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN67D8L-13 DMN67D8L-13 Diodes Incorporated DMN67D8L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13 DMN67D8L-13 DIODES INCORPORATED DMN67D8L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 570mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 821pC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13 DMN67D8L-13 Diodes Zetex dmn67d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13 DMN67D8L.pdf
DMN67D8L-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13 DMN67D8L.pdf
DMN67D8L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 570mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 821pC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13 dmn67d8l.pdf
DMN67D8L-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.